AMORPHOUS SILICON

Versiunea strat semiconductor cel mai comun este realizat din siliciu amorf (a-SI). A DISPOZIȚII CRYSTAL LIQ NSI THINGIE TRANSISTOR-(TFT-LCD) a fost tehnologia dominantă pentru fabricarea matricei active TFT-LCD timp de peste 20 de ani. A-SI este un material cu costuri reduse în aprovizionare abundentă.-

Si este un material cu costuri reduse în aprovizionare abundentă. Cu toate acestea, mobilitatea electronică a unui-SI este foarte scăzută (în jur de 1cm2-vs) șinu poate susține fizic rate de reîmprospătare ridicate, cum ar fi 240Hznecesare pentru HDTV. Datorită mobilității lor înalte de electroni, materialelenoi, cum ar fi oxid de metal (MO) și Polisilicon cu temperatură scăzută (LTP) înlocuiesc acum A/SI pentru fabricarea celor două tipuri principale principale ale industriei: afișează diode LCD și Lumină organică (OLED) .--

SI). oSI film subțire tranzistor-de afișare cu cristale lichide (TFT-LCD) a fost tehnologia dominantă pentru fabricarea de matrice activă TFT-LCD timp de peste 20 de ani.--

our Compania adoptă tehnologia avansată de producție și furnizare pentru a produce siliciu amorf de interior și siliciu amorf în aer liber pentru o lungă perioadă de timp. Produsele sunt utilizate în multe domenii, cum ar fi ceasuri, ochelari, jucării, acasă inteligente și iluminare în aer liber.